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Institute for Design Problems in Microelectronics

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Institute for Design Problems in Microelectronics, Istituto di ricerca a Mosca, Russia.

L'Istituto per i problemi di progettazione in microelettronica è un centro di ricerca a Mosca dedicato all'automazione della progettazione di sistemi nano e microelettronici. I suoi laboratori sono dotati di strumenti specializzati per supportare la ricerca avanzata in questo campo.

La struttura è stata fondata nel 1986 e opera sotto il Centro nazionale di ricerca Istituto Kurchatov come parte dell'Accademia russa delle scienze. Questo affiliamento ha plasmato il suo sviluppo sin dalla creazione.

L'istituto organizza regolarmente conferenze scientifiche e concorsi che riuniscono ricercatori da diverse regioni. Questi eventi sono diventati importanti punti di incontro per i professionisti che lavorano nella ricerca sui microelettroni.

L'istituto si trova in un'area di ricerca dedicata di Mosca con moderne strutture di laboratorio. I visitatori dovrebbero sapere che si tratta di una struttura di ricerca con accesso limitato e sono solitamente necessari accordi preliminari.

La struttura collabora con 11 aziende tecnologiche per stabilire un centro di progettazione di microelettronica a ciclo completo. Circa 50 scienziati e ingegneri sviluppano soluzioni innovative per l'industria dei semiconduttori in questo hub collaborativo.

Posizione: Moscow

Inizio: 1986

Sito web: http://ippm.ru

Coordinate GPS: 55.97806,37.16944

Ultimo aggiornamento: 14 dicembre 2025 alle 16:01

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